Samsung 今天宣布已成功完成 mmWave 射頻積體電路(RFIC)和數位/類比前端(DAFE)ASIC 的開發,將支援 28GHz 和 39GHz 頻段的應用。Samsung 最新的 5G 晶片組核心元件 – RFIC 和 DAFE ASIC,較前一代帶來更重大的突破,能為 5G 基地台減少 25% 的體積、重量和耗電量。搭載這些最新晶片組的 5G 基地台,在啟用及運作上將能展現更高效率。
[ MWC2019 ] Samsung 展示用於 5G 基地台的新世代 RF 晶片組
為實現超高速的數據傳輸,5G 基地台搭載將近 1,000 個天線元件和多個 RFIC 以充分利用 mmWave 頻譜。在減少基地台的體積和功耗上,RFIC 扮演著至關重要的角色。三星新一代 RFIC 採用 28nm CMOS 半導體技術,能支援高達 1.4GHz 的頻寬運作,而前一代的 RFIC 則為 800MHz。RFIC 的尺寸減少 36%,並且藉由降低噪音系數和提升 RF 功率放大器的線性度來提升整體效能表現。
三星已開發專供 28 GHz 和 39GHz 使用的 RFIC 解決方案,並計劃在今年度追加完成 24GHz 和 47GHz 的RFIC商業化,進一步跨足到使用更高頻段的市場。此外,三星亦開發自家的 DAFE ASIC,兼具低功耗和小體積的特性。DAFE 是無線通訊網路不可或缺的技術,因為它能提供類比與數位之間的雙向轉換。5G DAFE 能管理許多數百兆赫的大頻段,而開發ASIC則能同時減少 5G 基地台的尺寸和耗電量。若缺少 ASIC 的投入,單獨的 DAFE 則有體積過大與動力不足的缺陷,無法滿足營運商對於產品的需求。
三星電子網路事業部執行副總裁暨全球技術服務主管Jaeho Jeon表示:「三星憑藉低功耗RFIC和DAFE ASIC等創新解決方案,奠定其在5G技術上的領先地位,引領產業邁向數位轉型的新時代。我們很高興宣布完成新一代晶片組的開發,這些晶片組將對未來技術的發展,發揮極為重要的作用。」